/blogs_/japan/b/microcontroller/posts/c2000-gan窒化ガリウム（GaN）電界効果トランジスタ（FET）は、SiC（炭化ケイ素）FETやSi（シリコン）ベースFETに比べて、スイッチング損失が劇的に改善し、電力密度が高くなっています。このような特性は磁気回路のサイズ縮小につながるため、デジタル・パワー・コンバータなどのスイッチング周波数が高いアプリケーションで特に有用と考えられます。 パワー・エレクトロニクス業界にいる設計者は、GaNシステムの性能向上のための新しい技術と手法を必要としています。GaNテクノロジを使用する最新の電力変換システム開発でen-USTelligent Community 13