<?xml-stylesheet type="text/xsl" href="https://e2e.ti.com/cfs-file/__key/system/syndication/rss.xsl" media="screen"?><rss version="2.0" xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/" xmlns:slash="http://purl.org/rss/1.0/modules/slash/" xmlns:wfw="http://wellformedweb.org/CommentAPI/"><channel><title>MOSFET データシートについて、パート 3 - 連続電流定格（Understanding MOSFET data sheets, Part 3 - Continuous current ratings）</title><link>/blogs_/japan/b/power-ic/posts/mosfet-3-understanding-mosfet-data-sheets-part-3-continuous-current-ratings</link><description>「 MOSFET データシートについて 」ブログ・シリーズのパート 3 に引き続きアクセスいただき、ありがとうございます。 今回は、MOSFET の電流定格について、またこの値が文字通りの値ではないことについて説明します。 あるいは、RDS(ON) やゲート電荷のようなパラメータを決定するのと同様の方法で測定するわけではなく、計算の結果として値を求め、多数の方法で表現できると言った方が言った方がよいかもしれません。
たとえば、FET の「パッケージ電流定格」は、ほとんどの場合、周囲温度とは無関係に規</description><dc:language>en-US</dc:language><generator>Telligent Community 13</generator></channel></rss>