<?xml-stylesheet type="text/xsl" href="https://e2e.ti.com/cfs-file/__key/system/syndication/rss.xsl" media="screen"?><rss version="2.0" xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/" xmlns:slash="http://purl.org/rss/1.0/modules/slash/" xmlns:wfw="http://wellformedweb.org/CommentAPI/"><channel><title>DC/DCコンバータのデータシート解説 - システム損失を計算する</title><link>/blogs_/japan/b/power-ic/posts/dcdc</link><description>「DC/DCコンバータのデータシート」ブログ・シリーズの最終回では、 DC/DCレギュレータ 部品での導通損失について説明します。
導通損失は、DC/DCコンバータ内のデバイスの寄生抵抗により発生する損失です。これらの損失は、デューティ・サイクルに直接関連しています。内蔵のハイサイドMOSFETがオンになると、そこに負荷電流が流れます。ドレイン-ソース間チャネル抵抗（RDSON）に電力消費が発生します。これは次の式1のように表されます。
 
 

 LM 2673 のような非同期デバイスの場合、内蔵MOSF</description><dc:language>en-US</dc:language><generator>Telligent Community 13</generator></channel></rss>