<?xml-stylesheet type="text/xsl" href="https://e2e.ti.com/cfs-file/__key/system/syndication/rss.xsl" media="screen"?><rss version="2.0" xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/" xmlns:slash="http://purl.org/rss/1.0/modules/slash/" xmlns:wfw="http://wellformedweb.org/CommentAPI/"><channel><title>GaN の信頼性を検証するには</title><link>/blogs_/japan/b/power-ic/posts/gan-387338688</link><description>GaN (窒化ガリウム) FET (電界効果トランジスタ) には、効率を向上させ電源のサイズを縮小する特長があり、採用が急速に広まっています。ただし、この技術に投資する前にGaN の信頼性に関して疑問を抱く方もいることでしょう。一方でシリコンに対しては「信頼できるか」と尋ねる人がいない事実も思い浮かびます。結局、新しいシリコン製品は今も継続的に登場しており、電源設計者はシリコン製パワー・デバイスの信頼性にも注意を払っています。
GaN 関連業界は信頼性に関してかなりの労力と時間を費やしてきました</description><dc:language>en-US</dc:language><generator>Telligent Community 13</generator></channel></rss>