<?xml-stylesheet type="text/xsl" href="https://e2e.ti.com/cfs-file/__key/system/syndication/rss.xsl" media="screen"?><rss version="2.0" xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/" xmlns:slash="http://purl.org/rss/1.0/modules/slash/" xmlns:wfw="http://wellformedweb.org/CommentAPI/"><channel><title>SiC インバータや他のアプリケーションにおける絶縁型バイアス電源の同相過渡電圧耐性 (CMTI ) の改善</title><link>/blogs_/japan/b/power-ic/posts/sic-cmti</link><description>Other Parts Discussed in Post: LM5180 , LM5181 , LM25180 , LM25183 , LM25184 , LM5185 , TLV431 , LM5180EVM-S05 , LM5185EVM-SIO 近年は、トラクション インバータの設計でシリコン カーバイド（SiC )電界効果トランジスタ（FET ) の採用例が大幅に増加してきました。その主な理由は、SiC FET が高いスイッチング周波数で動作し、電力密度を向上させると同時に、高い効率を維持することができ</description><dc:language>en-US</dc:language><generator>Telligent Community 13</generator></channel></rss>