TI는 전자 제품의 향후 성장을 지원하기 위해 반도체 제조의 새로운 시대를 구축하고 있습니다.
텍사스주 리처드슨에 위치한 TI의 최신 300밀리미터 웨이퍼 팹에서 초기 생산을 시작했으며 다음 몇 달 동안 생산량을 늘려 전자 제품에 사용되는 반도체의 향후 성장을 지원할 예정입니다. RFAB2는 2009년에 세계 최초의 300mm 아날로그 웨이퍼 팹으로 문을 연 RFAB1과 연결되어 있으며, TI가 제조 공정에 추가하고 있는 새로운 300mm 웨이퍼 팹 여섯 개 중 하나입니다.
기술 및 제조 그룹의 선임 부사장인 Kyle Flessner는 "최대 규모의 최신 300mm 웨이퍼 팹을 통해 초기 생산을 진행하게 되어 매우 기쁩니다. 이는 초기 제조 역량을 장기적으로 확장하기 위한 투자의 일환입니다."라고 말했습니다. "이 마일스톤은 건설, 시설 및 제조 팀의 긴밀한 협업의 결과이며, 향후 수년간 고객의 요구 사항을 지원하기 위해 다음 몇 달 동안 생산량을 늘리려 합니다."
텍사스주 리처드슨에 위치한 300mm 웨이퍼 팹에 대해 자세히 알아보기
텍사스주 리처드슨에서 고급 제조 시설을 구축하다
새로운 팹은 RFAB1보다 30% 더 크며, 두 팹 사이에 총 630,000평방피트 이상의 클린룸을 제공합니다. 15마일의 자동화된 오버헤드 전달 시스템이 완전히 증축되고 나면 두 팹 간에 웨이퍼를 원활하게 옮길 수 있습니다.
완전한 생산 환경에서 리처드슨 팹은 매일 1억 개 이상의 아날로그 칩을 생산하며 이는 재생 가능한 에너지원부터 전기차에 이르는 전 세계의 전자 제품에 사용됩니다.
Kyle 부사장은 "텍사스주 리처드슨의 한 제조 부지 내에 두 개의 팹을 연결함으로써 공정 효율성과 규모를 확보하여 고객을 더 잘 지원할 수 있게 되었습니다."라고 말했습니다. "TI는 노스텍사스에서 90년 이상 운영되었으며, 리처드슨 공동체와 훌륭한 파트너 관계를 맺고 있는 것을 자랑스럽게 생각합니다. 계속해서 함께 반도체 제조 우수성을 구축하고 있는 지금은 TI의 직원과 노스텍사스 모두에 있어 기쁜 시기입니다."
TI는 책임감 있고 지속 가능한 제조 공정을 지속적으로 추구해 왔습니다. RFAB1은 세계 최초로 LEED(Leadership in Energy and Environmental Design) Gold 인증을 받은 아날로그 반도체 제조 시설로, 등급 시스템의 구조 효율성 및 지속가능성에 대한 높은 수준을 충족하도록 설계되었습니다. RFAB2는 이러한 노력을 바탕으로 만들어졌으며, 이 또한 LEED Gold 표준을 충족하도록 설계되었습니다.
300mm 제조 역량에 대한 투자
RFAB2는 DMOS6(댈러스) 및 RFAB1(리처드슨)을 비롯한 기존 300mm 웨이퍼 팹 풋프린트를 보완하며, TI가 아날로그 및 임베디드 프로세싱 반도체 장치의 광범위하고 다양한 포트폴리오에 추가하고 있는 웨이퍼 팹 여섯 개 중 하나입니다. 유타주의 LFAB는 TI가 2021년에 구입한 곳으로, 향후 몇 달 뒤의 초기 생산을 준비하고 있습니다. TI는 또한 작년에 텍사스주 셔먼에 위치한 새로운 팹 4개에 대한 300억 달러의 투자를 발표했습니다. 첫 번째 및 두 번째 팹의 건설 작업이 진행 중이며 2025년에는 첫 번째 팹에서 생산이 예상됩니다.
제조 공정 선임 부사장인 Mohammad Yunus는 "TI의 300mm 웨이퍼 팹 확장은 TI의 향후 성장과 수십 년 동안 고객의 요구 사항을 지원하는 역량에 있어 중요한 역할을 합니다."라고 말했습니다. "지금까지 이룬 성과가 자랑스러우며, 앞으로 몇 달에 걸쳐 RFAB2에서의 300mm 생산을 계속 늘리는 것을 기대하고 있습니다."
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