/blogs_/taiwan/b/taiwan1/posts/mosfet-esd作者：德州儀器應用工程師 John Wallace 多功率金屬氧化物半導體場效應電晶體（MOSFET）使用一層薄薄的氧化物作為絕緣層，分隔閘極與電晶體的主動區域。如同用於製造微處理器的MOSFET元件，功率MOSFET的閘極氧化層也非常容易因靜電放電（ESD，electrostatic discharge）而損壞。ESD可能造成閘極氧化物崩潰等嚴重故障，或元件輕度毀損。 部分離散式功率MOSFET與電源塊MOSFET (power-block MOSFET)整合 ES...en-USTelligent Community 13