/blogs_/taiwan/b/taiwan1/posts/ti-gan-fet作者：德州儀器Arianna Rajabi 物理學進展早已超越矽裝置的發展。過去，傳統供電主力是以整合式雙金屬氧化物半導體場效應電晶體（MOSFETs）和絕緣柵雙極電晶體（IGBTs）為主，不過若欲提高功率密度，則必須犧牲效能、形狀因素及散熱能力（efficiency, form factor and heat dissipation）。 直到氮化鎵（GaN）半導體問世。其大幅提高處理電力電子設備的速度，同時能更有效率地為高壓應用提供電力。並且，氮化鎵具備高切換能力，意味著它能在高...en-USTelligent Community 13