最近、あるインフォテインメント・システム・メーカーの設計者と面会した際、製品設計に60Vロード・スイッチを使うことはあるかと訊ねたところ、SOT-23パッケージで、オン抵抗（RDS(ON)）が100mΩ程度の耐圧30V～60Vのトランジスタを10個ほど使った基板を設計した、という回答がありました。
さらに、その基板には実装面積の制約がある、という答えを受けて、オン抵抗が60mΩ未満で、1.5mm×0.8mm (1.2mm2) と小型の実装面積を提供するTIの新製品『CSD18541F5』 60V FemtoFET™ MOSFETの特長を説明しました（図1）。このMOSFETは、インフォテインメント・システムをはじめとした実装面積に制約があるアプリケーション向けに設計された製品です。
図 1:『 CSD18541F5』の ランド・グリッド・アレー(LGA) パッケージの寸法図
このLGAパッケージは、図2の写真のように、SOT-23 (6.75mm2) のざっと1/6の大きさです。さらに、オン抵抗（RDS(ON)）×実装面積による性能指数は、従来のMOSFET製品よりも75パーセント小さい値となります。
図 2: 従来のSOT-23パッケージ（左）と『CSD18541F5』のLGAパッケージ（右）の比較
基板1枚あたり10個のデバイスを使用する条件で簡略計算を行った結果、およそ55mm2 もの基板実装面積を節約できることがわかりました。この55mm2という面積は、技術者が一般的に考えるデバイスを設計後に再検討して捻出できるような数字ではありません。
接続用のパッドピッチに関してはどうでしょう。幸いなことに、この小型LGAパッケージは、パッド間の最小距離として0.5mmピッチが望ましいとされる産業用機器分野のお客様に対応するように設計されています。
電源、電池保護や電動工具などのメーカーも含め、産業市場のほとんどすべてのお客様が、より小型、またはより高性能、あるいはそれら両方の特長を備えたロード・スイッチ製品に関心を寄せています。
お客様が設計されている産業用機器に、数個以上のSOT-23や、それよりも大きなパッケージのロード・スイッチ製品を使用している場合、TIの新製品である『CSD18541F5』 MOSFET製品への移行をお奨めします。基板実装面積の縮小のメリットに、きっとご満足いただけると思います。
CSD18541F5 60V Nチャネル・パワーMOSFETに関する情報
- 『CSD18541F5』 60-V N チャネル パワーMOSFETの詳細
- LGAパッケージの詳細を含むデザイン・サマリーをダウンロード（英語）
- FemtoFET MOSFET製品ファミリを含むFemtoFET ランディングページを参照
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