Other Parts Discussed in Thread: UCC28C43, UCC27714, CSD19502Q5B
Tool/software:
大家好，
我一直在研究一种推挽式转换器，使用 UCC28C43 作为控制器，UCC27714 作为高速栅极驱动器，目标是 100W 隔离式 DC-DC 设计。尽管布局和零件选择都很仔细，但我仍在努力解决 200MHz 左右的持续 EMI 峰值和 MOSFET 在满负载下过热的问题。
MOSFET （MOSFET）：在初级侧使用 CSD19502Q5B （TI NexFET，100V，低 Rds（on）），在100kHz 左右进行开关。
变压器：定制绕组，泄漏为 1μH（测量），使用紧密耦合，但在示波器上仍然会出现可见的泄漏尖峰。
观察到的问题：
1️⃣ 180–250MHz 附近的 EMI 尖峰：
使用近场探头，我看到可重复的尖峰与变压器漏振铃和开关边缘对齐。
2️⃣ MOSFET 外壳温度在 80W 负载下超过 85°C，即使有散热器和强制气流，这引起了对热裕度和长期可靠性的担忧。
3️⃣ 添加缓冲器有助于 EMI，但会增加开关损耗，从而推高温度。
4️⃣ 屏蔽改善了 EMI，但提高了热阻，导致 MOSFET 进一步发热。
到目前为止采取的调试作：
在初级上添加了 RCD 缓冲器：100Ω、1nF、快速恢复二极管。
输入 π 滤波器：10μH + 47μF 低 ESR 电容。
UCC28C43 上的扩频（调制频率在 ±5% 以内）略微降低了 EMI 峰值。
改进的地面分区，受控的星点，阻力小。
然而，EMI 和热管理之间的平衡仍然具有挑战性。
向 E2E 专家提出的问题：
如何在不过度增加开关损耗的情况下有效减少漏感振铃？
TI 是否推荐了在推挽拓扑中使用 UCC28C43调整缓冲器的首选方法？
关于使用 UCC27714 优化死区时间以最大限度地减少交叉传导，同时避免恶化 EMI 的慢速边沿，是否有任何指南？
是否有推荐的布局或屏蔽策略，用于使用 CSD19502Q5B 处理高 dV/dt 来处理高 dV/dt，同时有效管理热路径？
是否有人使用有源箝位技术与 UCC28C43 推挽技术同时解决漏电能量和 EMI 问题？
其他上下文：
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输入电压：标称 24V （18–30V）
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输出：12V，最大 8A
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开关频率：100kHz 固定
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环境温度：测试期间 25°C，强制气流为 ~2m/s
除了 SLUA551 或 TIDU261 之外，关于使用这些 TI 器件实际调试 EMI 和推挽式热问题的任何见解、参考设计或应用说明将不胜感激。
感谢您的帮助！
