Tool/software:
您好 E2E 专家，
我一直在使用流行的 PWM 控制器和高速栅极驱动器（均为 TI 器件）调试 100W 隔离式 DC-DC 推挽式转换器。尽管仔细布局和组件选择，但我面临两个关键问题：⃣
1️180-250MHz 的 EMI 尖峰（通过近场探头检测到），与变压器漏振铃相关。
2️ ⃣ 即使使用散热器 + 强制通风 （2m/s），MOSFET 也会过热（在 80W 负载下外壳温度为 >85°C），引发可靠性问题。
执行的调试步骤：
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️ 在初级上添加了 RCD 缓冲器（100Ω + 1nF + FR 二极管）。 -
️ 实现了输入 π 滤波器（10μH + 47μF 低 ESR 电容）。
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️ 在控制器上启用了 ±5% 的频率抖动，略微降低了 EMI 峰值。
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️ 优化的接地（星形点、低阻抗路径）。
突出的挑战：
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缓冲器可降低 EMI，但会增加开关损耗→加剧 MOSFET 发热。
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屏蔽有助于 EMI，但会阻塞热路径→进一步加热 MOSFET。
社区的关键问题：
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漏电感振铃与损耗：如何在不造成明显开关损失的情况下抑制漏感振铃（例如，通过缓冲器调谐）？ 是否有 TI 推荐的推挽拓扑缓冲器设计规则？
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死区时间优化：对于栅极驱动器，为避免交叉传导同时最大限度地减少缓慢关断（这可能会加剧 EMI）的最佳死区时间是多少？
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布局和热权衡：由于NexFETs的高dV/dt，哪些是经过验证的策略来：
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布线大电流路径以减少环路电感？
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在不阻碍散热的情况下放置防护罩？
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有源箝位的可行性：是否有人成功地将有源箝位与该控制器集成在一起，以在解决 EMI 问题的同时回收漏电能量？
设计背景：
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输入：标称 24V （18–30V）
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输出：最大 12V@8A
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开关：100kHz 固定
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变压器：定制绕线，~1μH 泄漏（测量）
来自 TI 应用说明（SLUA551/TIDU261 之外）的任何见解或实践经验都将非常宝贵！
