Other Parts Discussed in Thread: UCC27714, UCC28C43, CSD19502Q5B
Tool/software:
大家好，
我正在开发一个 100W 隔离式推挽式 DC-DC 转换器，使用 BQ34Z100-G1 进行电池管理，UCC28C43 作为控制器，UCC27714 作为高速驱动器，并在初级侧CSD19502Q5B NexFET（100kHz 时 24V 输入，12V/8A 输出）。
尽管进行了仔细的布局和筛选，但我还是遇到了持续的挑战：
EMI 尖峰：
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使用近场探头，我观察到一致的 180–250MHz 尖峰与变压器泄漏振铃和开关边沿对齐。
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添加一个 100Ω + 1nF + FRD RCD 缓冲器会有所帮助，但会增加开关损耗和 MOSFET 发热。
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UCC28C43上的温和扩频略微降低了 EMI，但不能完全抑制尖峰
热管理问题：
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在 80W 负载下，即使有散热器和 ~2m/s 的强制气流，MOSFET 外壳温度也会超过 85°C，引发可靠性问题。
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屏蔽可以改善 EMI，但会增加热阻，从而进一步恶化发热。
变压器漏电流测量值为 ~1uH，尽管耦合紧密，但漏电能量明显导致了尖峰。
具体问题：
如何在不过度增加开关损耗的情况下有效减少漏振铃？
在推挽式拓扑中，有没有系统的方法可以优化 UCC28C43 的 RCD 缓冲器参数？
如何使用 UCC27714 微调死区时间，以最大限度地减少交叉传导，而不会因慢边沿而降低 EMI？
在有效管理热路径的同时，使用 NexFET （CSD19502Q5B） 实现高 dV/dt 时，是否有任何推荐的布局或屏蔽做法？
是否有人在推挽式设计中实现了有源箝位技术，UCC28C43同时管理漏电能量和 EMI？
任何实际调试经验、参考设计或波形比较将不胜感激。
感谢您的帮助！
