Other Parts Discussed in Thread: BQ34Z100-G1, UCC27714,
Tool/software:
在 BQ34Z100-G1 + UCC28C43 + UCC27714 + NexFET 推挽隔离式 DC-DC (24V→12V/8A, 100kHz) 中:
180-250 MHz 的 EMI 尖峰很难抑制。添加缓冲器会有所帮助,但会导致高损失。
布局和筛选已得到优化,但测试要求仍未得到满足。
问题:是否有经过验证的推挽式拓扑 EMI 尖峰抑制方法?
任何 RCD 缓冲器调整经验(组件选择/调试)要分享吗?
谢谢!