王工：
您好，
使用570外接了X16的SDRAM（IS42S16400J_7BLI）
uint16_t temp = {0};
for(i = 0;i<100;i++){
temp[i] = (volatile uint16_t *) （0x80000000+2*i）;
}
从而实现对SDRAM前100个地址的访问，现在访问的数据结果是正确的，也即读出的数据与预先写入的一致。
但是用示波器抓相关波形，发现访问SDRAM的0、1地址EMIF地址总线都是00，访问SDRAM的2、3地址EMIF地址总线都是02，依次类推。
按照对SDRAM协议的理解，访问地址0时，应该如下时序，在D1数据位置DQMH/L为低电平。
访问地址1时，应该如下时序，在D2数据位置DQMH/L为低电平。
但实际抓出的波形在真正的数据有效位置DQMH/L却是高电平。（如下是访问SDRAM 的0地址的波形）
如下是访问SDRAM的1地址波形
请问570在读操作的时候，是怎样区分0、1地址的数据的。
