Tool/software:
您好，我们在使用DRV8353SR时，测试发现有两个问题
下图是驱动A相的电路图，MOS的Qgd为12~18nC
1.板1在三相输出悬空时，SPI按默认配置，直接配置使能芯片EN，MCU输出3相互补的16KHz的50%占空比PWM，mcu设置死驱1us，测试前几次能抓取A,B相输出PWM，频率及死驱基本能对上，测试几次后，fault寄存器报0x620，A相上管VDS过流，将A相PWM关闭，B,C相PWM能正常输出，同时测量SHA对GHA的二极管电压为1.632V，而B相和C相均为0.567V，GHA对SHA电压为1，这是否说明内部二极管已经损坏了？三相悬空时驱动电流过大是否是造成此次损坏的原因？
2.在测试另一块板时，同样在三相输出悬空，且MCU的PWM不输出情况下，同时SPI配置DRV8353S的drive电流均设置为最小，在给到DRV8353S 使能信号大约16us后，抓取到fault上有一低电平，抓取波形如下图所示，CH1为给到DRV8353的EN信号，CH2为fault信号，CH3为VM电平， 此跌落在其他板上未抓取到，后经过SPI读取fault寄存器，确认报错为0x700，但此时MCU的PWM均未输出，gate driver fault condition这个错误如何进行排查，另外为何还会报VDS过流？
